Технологія IBM і Samsung покращить автономність смартфонів майже вдвічі

IBM та Samsung розробили новий підхід до випуску мікросхем. Він дозволить підвищити обчислювальну потужність мікросхем удвічі та знизити витрати енергії на 85%.

Технологія, розроблена IBM та Samsung, названа Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET), що перекладається з англійської як вертикальні транспортні польові транзистори. З її допомогою можна створювати компактніші мікросхеми за рахунок того, що транзистори в них розміщуються не так, як прийнято зараз – поруч один з одним (технологія FinFET), а вертикально.

Головна перевага VTFET перед FinFET полягає у можливості виробляти мікросхеми з великою кількістю транзисторів, не збільшуючи розмір чипів. Розробники запевняють, що батареї для мобільних телефонів, створені на основі VTFET, можуть працювати не днями, а тижнями. Користь від впровадження VTFET буде відчутною і для іншої техніки, включно з комунікаціями та транспортом.

IBM створила перші зразки мікросхем VTFET на основі двонанометрового процесора. У чипі розміром із ніготь помістилося 50 млрд транзисторів. Поки що ця технологія вдосконалюється, а перші зразки проходять випробування. Зараз невідомо, коли розпочнеться серійний випуск пристроїв. IBM запевняє, що розробка VTFET – це великий крок уперед до створення транзисторів наступного покоління, які дозволять виробляти потужніші та енергоефективні пристрої найближчими роками.

Андрей Квятковский

ЛIГАБiзнесIнформ