Южнокорейский концерн Samsung Electronics Company Ltd. и его американская "дочка" Samsung Semiconductor Inc. заплатят штраф в размере $300 млн. за картельный сговор на рынке оперативной памяти DRAM. Об этом говорится в сообщении Минюста США. Это второй по величине штраф за всю историю американского антимонопольного законодательства и крупнейший за период с 1999 года.

Память DRAM (dynamic random access memory) используется в персональных компьютерах, ноутбуках, серверах, модемах, мобильных телефонах, цифровых видеокамерах, овых приставках и т.д. Ежегодный объем рынка DRAM только в США достиг $7.7 млрд. в 2004 году.

По итогам расследования, проведенного совместно с ФБР, Минюст выяснил, что в период с апреля 1999 по июнь 2002 года Samsung и Samsung Semiconductor устанавливали цены на свою продукцию в сговоре с рядом других производителей DRAM. По данным Минюста, в результате ценового сговора больше всего пострадали производители компьютерной техники - Dell, Compaq, Hewlett-Packard, Apple, IBM и Gateway.

"Картельные сговоры угрожают свободному рынку, сдерживают развитие новых технологий, и лишают американских потребителей выгод конкурентного ценообразования", - прокомментировал решение Минюста генпрокурор США Альберто Гонсалес, процитированный в сообщении.

С учетом санкций в отношении Samsung, по делу о картельном сговоре на рынке DRAM к штрафам на общую сумму $646 млн. приговорены три компании и пять физлиц.

Ранее, напомним, южнокорейская Hynix Semiconductor Inc. и германская Infineon Technologies AG согласились выплатить соответственно $185 млн. и $160 млн. штрафа. Четыре бывших топ-менеджера Infineon Technologies были приговорены к тюремному заключению на срок от 4 до 6 месяцев и штрафу в размере $250 тыс. Полгода под домашним арестом провел сотрудник отдела продаж Micron Technology, также замешанный в картельном сговоре.

Инф. akm