Концерн Samsung Electronics вложит семь миллиардов долларов в строительство завода в Сиане (КНР, Шаньси) по производству чипов флеш-памяти типа NAND.

Совет директоров компании уже одобрил выделение первых 2,3 миллиарда долларов на этот проект. Неназванный источник рассказал газете, что руководство рассматривало также Пекин в качестве места строительства, однако выбор был сделан в пользу Сианя в связи с финансовой и административной поддержкой со стороны региональных властей. В концерне еще в декабре прошлого года сообщали, что намерены строить завод в КНР, поскольку эта страна является самым быстрорастущим рынком для продажи чипов флеш-памяти.

В настоящее время у Samsung есть только один завод по производству устройств флеш-памяти за пределами Южной Кореи — в Остине (США, Техас). Это предприятие, где производятся также процессоры для мобильных устройств, поставляет, в частности, комплектующие для iPad. В этом году Apple увеличила заказ у Samsung до 11 миллиардов долларов, тогда как в 2011 году южнокорейский производитель поставил американской компании продукции на 7,8 миллиарда долларов.

Bloomberg отмечает, что Samsung увеличивает производство устройств флеш-памяти на фоне прогнозируемого роста спроса на эту продукцию на 49 процентов в 2010-2015 годах. Конкуренты корейской компании, производящие чипы флеш-памяти DRAM, терпят убытки после рекордного спада цен на устройства этого типа.

В сентябре прошлого года Samsung открыл завод в Южной Корее, на строительство которого было потрачено 10,6 миллиарда долларов. Предприятие является крупнейшим заводом по производству чипов флеш-памяти, причем на нем производятся устройства как типа NAND, так и DRAM.

По материалам: Лента.Ру

Инф. delo.ua